Durante gran parte de este año se generó una crisis con respecto a los semiconductores. Para poder salir de esta, IBM y han decidido unir fuerzas. Ambas empresas que tienen el nombre de VTFET (Vertical Transport Field Effect Trasistors), el cual le dará un realce a todo tipo de dispositivos.

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Este diseño que están realizando en conjunto lo están apilando de forma vertical y perpendicular. Estas posiciones son con respecto a la oblea de silicio y para superarlas limitaciones que tienen actualmente.

LA NUEVA TECNOLOGÍA QUE TRAERÁN IBM Y SAMSUNG

se van con todo y contra todos en el mercado de los microchips. Ahora, con su nuevo VTFET están generando una nueva forma de agrupar los transistores dentro de estos semiconductores.

La tecnología de estos se basa en que, si el chip tiene más transistores, la capacidad de cálculos va a ser mayor. Es por eso que la meta en la actualidad es aumentar esta capacidad mientras que todo es más pequeño.

Diseño del VTFET a la izquierda y FET a la derecha.
Diseño del VTFET a la izquierda y FET a la derecha.

IBM ha dicho que este desarrollo les abe las puertas a mejorar los chips más allá del proceso de fabricarlos a nanoescala. Con este rediseño, se supondría un aumento en el rendimiento, el flujo y la pérdida de energía.

Lo que buscan ambas empresas tecnológicas se puede calificar como ambicioso. Dentro de lo que proponen es que la batería de un smartphone dure alrededor de una semana. Además, también mejorarían los vehículos autónomos y naves espaciales.

¿CÓMO VA EL DESARROLLO DE LOS CHIPS?

Hasta el momento, ambas empresas ya tienen desarrollados algunos microchips de 2 nanómetros y con 50.000 millones de transistores. Con ellos, se tendría una mejora de 75% en el rendimiento de los equipos.

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